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聚3-己基噻吩的光电性能研究
  • 期刊名称：功能材料, 37(1): 22-24, 2006
  • 时间：0
  • 分类：O64[理学—物理化学;理学—化学] TQ251.2[化学工程—有机化工]
  • 作者机构：[1]河北科技大学理学院,河北石家庄050018, [2]河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目（20203008）;河北省自然科学基金资助项目（202351）;河北省教育厅博士基金资助项目（110611）
  • 相关项目：纳米结构半导体导电共聚物异质结光伏电池的研制及导电机理
关键词： 聚3-己基噻吩, 光电化学, 导电聚合物, poly （3-hexyl thiophene） , photoelectrochemistry, conducting polymer
中文摘要：

利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质，其禁带宽度为1．89eV，同时确定了它的价带位置（-3．6eV）、导带位置（-5．4eV）。研究发现聚3-已基噻吩属于直接跃迁型半导体，在本文条件下得到的最高IPCE值达5．2％

英文摘要：

The photonelectrochemical properties of the poly（3-hexylthiophene） film on the conducting glass were investigated with photonelectrochemical methods. The bandgap of P3HT film was 1.89eV. The conduction band and valence band were determined to be -3.6 and -5.4eV respectively. The maximal IPCE measured in this paper was 5.2 %.

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