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A 5-Gbit/s monolithically-integrated low-power clock recovery circuit in 0.18-μm CMOS
  • 期刊名称：Journal of Southeast University(English Edition)
  • 时间：2011.2.2
  • 页码：136-139
  • 相关项目：SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
作者： Zhang Changchun|Wang Zhigong|Shi Si|Pan Haixian|Guo Yufeng|Huang Jiwei|
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SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究
期刊论文 49 会议论文 25 专利 18
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