采膈电沉积法在碳素钢基片上分别沉积Cu膜和Ni膜,用数码相机拍摄沉积不同膜厚时基片的弯曲状况,并上传到计算机计算出薄膜内的平均残余应力及分布残余应力:结果表明:Cu膜和Ni膜的平均残余应力和分布残余应力均为拉应力;当膜厚较小时(0.5~3μm),Cu膜的平均残余应力和分布残余应力随膜厚的增加急尉降低,随着膜厚的进一步增加两种残余应力都趋于稳定;Ni膜的平均残余应力随着膜辱的增加而增加,分布残余应力总体趋势是随着膜厚的增加而增加。由实验结果可以认为Cu膜内的界面应力为托应力而Ni膜内的界面应力为压应力,与基于Thomas—Fermi—Dirac—Cheng(TFDC)电子理论的判断结果一致。