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表面为二维光子晶体结构的AlGaInP系发光二极管的研究
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O734[理学—晶体学]
  • 作者机构:[1]北京工业大学光电子技术实验室,北京100124, [2]中国科学院半导体研究所,北京100083
  • 相关基金:国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121 2008AA03Z402); 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902 2006CB921705); 北京市自然科学基金(批准号:4092007)资助的课题
中文摘要:

近年来,GaN基光子晶体发光二极管(light emitting diode,LED)的研究已经取得了一定的进展,利用光子晶体的光子带隙效应和光栅衍射原理,在LED上制作光子晶体结构将会提高出光效率.本文为了提高AlGaInP系LED的光提取效率,分析了常规LED光提取效率受到限制的原因,将光子晶体结构引入了AlGaInP系LED的器件结构设计,通过理论分析与实验验证,结果显示:光子晶体结构对于提高AlGaInP系LED的光提取效率同样起到了明显的效果,引入光子晶体后,LED的输出光强比常规结构LED平均提高了16%.

英文摘要:

Some progress in the research of GaN based LED with photonic crystal structure has been made recently.Based on the photonic crystal's photonic band gap effect and photon grating diffraction principle,the extraction efficiency of LED with photonic crystal can be improved.In this paper,the restriction on AlGaInP LED's extraction efficiency is analyzed,and the photonic crystal is introduced in to the AlGaInP LED to improve the extraction efficiency.The theoretical analyses and the experiment results show that the output luminous intensity of LED with photonic crystal is improved by 16% ,which results from some effect of the GaN based LED with photonic crystal.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876