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氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究
  • ISSN号:1001-9731
  • 期刊名称:《功能材料》
  • 时间:0
  • 分类:O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]北京工业大学应用数理学院,北京100022, [2]北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室,北京100022, [3]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000
  • 相关基金:北京市自然科学基金资助项目(4072007);国家自然科学基金资助项目(60376007) 致谢:感谢北京市属市管高校人才强教计划基金的资助.
中文摘要:

利用射频溅射系统在P型Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600~1000℃的常压下N2保护退火。通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动,计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化。发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题,可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性。并且探索性地讨论在退火过程中c-BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系。

英文摘要:

One group of hexagonal BN films were prepared on p-Si (100) substrates by radio frequency sputtering. The samples were annealed in normal pressure N2 from 600 to 1000℃. We found reversible transformation of hBN-cBN-hBN by FTIR spectroscopy. The change of residual stress in the BN films were calculated by measuring the frequency shifts in the TO peaks of c-BN after annealing at different temperatures. The ralaxation of residual stress leads to better adhesion. In addition, the relation of stress and the nucleation of cubic phase has been discussed tentatively.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编:黄伯云
  • 地址:重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编:400707
  • 邮箱:gnclwb@126.com
  • 电话:023-68264739
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-9731
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:30166