东篱科研大数据发现系统（DRDS）

位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页

氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂

期刊名称：半导体学报，2006，27（增刊），127-130
时间：0
分类：O472[理学—半导体物理;理学—物理]
作者机构：[1]北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 兰州大学物理学院,兰州,730000 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022
相关基金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376007)
相关项目：立方氮化硼薄膜的p型掺杂和薄膜p-n结的研制

中文摘要：

通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.

同期刊论文项目