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n-BN/p-Si薄膜异质结的I-V特性

期刊名称：真空科学与技术学报，2006，26（增刊），61-63
时间：0
分类：O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
作者机构：[1]北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学材料学院,北京,100022 兰州大学物理学院,兰州,730000
相关基金：国家自然科学基金(No.60376007)
相关项目：立方氮化硼薄膜的p型掺杂和薄膜p-n结的研制

中文摘要：

用射频溅射系统制备了BN薄膜,并且用离子注入的方法在BN薄膜中注入S,从而成功制备了n-BN/p-Si薄膜异质结,并研究了异质结的电学性质.注入S的BN薄膜是用13.56 MHz射频溅射系统沉积在p型Si(100)(5～6 Ω·cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度为99.99%).离子注入时,注入离子的能量为190 keV,注入剂量为1015/cm2.对注入后的薄膜进行了退火处理(退火温度为600℃),用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了2 mm×5 mm的铝电极,以便测量掺杂后异质结的电学性质.实验结果表明:离子注入掺杂后制备的n-BN/p-Si异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合"隧道-复合模型"理论.

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