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c-BN薄膜的生长过程和可重复性的研究
  • ISSN号：1672-7126
  • 期刊名称：《真空科学与技术学报》
  • 时间：0
  • 分类：O484.1[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]北京工业大学材料学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 兰州大学物理学院,兰州,730000 北京工业大学材料学院,北京,100022
  • 相关基金：国家自然科学基金项目(No.60376007)
作者： 刘钧锴[1], 邓金祥[1], 陈浩[1], 田凌[1], 陈光华[1]
关键词： 立方氮化硼, 可重复性, 生长过程, 射频溅射
中文摘要：

用常规射频(RF)溅射系统,采用三步法在p型Si(111)上高重复率地制备出高品质的立方氮化硼(c-BN)薄膜.通过对c-BN薄膜生长过程的分析,找出了传统两步法制备高品质的c-BN薄膜重复率不高的原因.在两步法之前增加了使湍流层结构氮化硼(t-BN)转化为斜方六面体结构的氮化硼(r-BN)的步骤,即将形核过程分也为两步,使重复率显著提高.傅立叶变换红外吸收光谱的结果表明:当第一步偏压为180 V,时间为5 min时,得到了立方相含量为85%的c-BN薄膜.

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期刊信息
  • 《真空科学与技术学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国真空学会
  • 主编：李德杰
  • 地址：北京朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
  • 邮编：100022
  • 邮箱：cvs@chinesevacuum.com
  • 电话：010-58206280
  • 国际标准刊号：ISSN：1672-7126
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5177/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:4421