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CSD法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜及其电性能的研究
  • ISSN号:1001-9731
  • 期刊名称:功能材料
  • 时间:2012
  • 页码:250-252
  • 分类:TB43[一般工业技术]
  • 作者机构:[1]陕西科技大学,教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,陕西西安710021
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(50872077); 国家青年科学基金资助项目(51002092); 陕西省自然科学基金资助项目(2010JM6013); 陕西科技大学研究生创新基金资助项目(SUST-A04)
  • 相关项目:液相反应自组装制备钛酸铋铁电薄膜及其性能的研究
中文摘要:

利用化学溶液沉积法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜。利用XRD、FE-SEM、XPS、Agi-lent E4980A精密LCR仪及TF-Analyzer2000等分析手段对BiFeO3薄膜进行表征。结果表明,薄膜为纯相的结晶良好的多晶BiFeO3薄膜,由100~300nm的BiFeO3晶粒紧密的堆积而成,表面均匀平整。薄膜厚度为450nm。Fe的氧化态为Fe3+,并没有Fe2+出现。在10kHz时,介电常数和损耗分别为134和0.005。薄膜的剩余极化率为0.58μC/cm2,在0~250kV/cm的测试电场下漏导电流步伐保持在10-6 A/cm2以下。

英文摘要:

BiFeO3 thin films were prepared on hydrophilic FTO/glass substrate by chemical solution deposition.XRD,FE-SEM,XPS,Agilent E4980A precision LCR meter and TF-Analyzer2000 were used for the characterization of BiFeO3 thin films.The results indicated that the thin films were the well-crystallized BiFeO3 thin film with multi-crystals and pure phases.BiFeO3 crystalline grain with 100-300nm diameter were piled up and formed densely.The surface appeared even and level.The thickness of the thin film was 450nm.The oxidation state of Fe was Fe3+.There was no Fe2+ present.At 10 kHz,the dielectric constant and dielectric loss were respectively 134 and 0.005.The remanent polarizability of the thin film was 0.38μC/cm2.Under the testing electric field of 0-250kV/cm,the leakage current step remained 10-6A/cm2.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编:黄伯云
  • 地址:重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编:400707
  • 邮箱:gnclwb@126.com
  • 电话:023-68264739
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-9731
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:30166