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Study on structure and electrical properties of high-k Ta2O5 gate dielectric
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials
  • 时间：0
  • 页码：1335-1338+1341
  • 相关项目：双频调制等离子体和双离子束制备复合铪基高k薄膜机理及物理特性
作者： Chen, Xi-Lin|Yu, Tao|Wu, Xue-Mei|Dong, Yao-Jun|Zhuge, Lan-Jian|
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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166