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用于集成化芯片系统的压电薄膜微传感器研究
项目名称:用于集成化芯片系统的压电薄膜微传感器研究
项目类别:重大研究计划
批准号:90207022
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:杨银堂
依托单位:西安电子科技大学
批准年度:2002
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
8
0
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期刊论文
超导Josephson结直流I—V特性的数值计算
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
压电薄膜微传感器振动模态的仿真分析
衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源
微传感器制备中多孔硅牺牲层技术的研究
用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化
一种基于压电薄膜逆压电效应的新型集成微镜
双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究
杨银堂的项目
基于TSV的三维集成关键技术研究
期刊论文 8
甚低功耗片上网络(NOC)系统模型及异步互连技术
期刊论文 72
会议论文 3
基于SOC的嵌入式混合信号集成电路IP核及高层次模型研究
期刊论文 52
会议论文 2
著作 1
集成电路设计(包括CAD)
期刊论文 136
新型SiC高温半导体器件关键技术基础研究
期刊论文 2