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面向SOC的高性能纳米硅单电子器件研究
  • 项目名称：面向SOC的高性能纳米硅单电子器件研究
  • 项目类别：重大研究计划
  • 批准号：90607022
  • 申请代码：F040407
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-07-01-2008-12-31
  • 项目负责人：龙世兵
  • 负责人职称：副研究员
  • 依托单位：中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2006
中文摘要：

本项目主要利用纳米晶体硅薄膜材料所具有的量子输运及量子振荡特性，开展基于纳米硅材料的单电子器件及其理论模拟研究工作。主要研究内容包括小晶粒尺寸、高密度、高电导率、均匀的纳米硅薄膜材料的制备和物性分析、高性能（小尺寸、低功耗、高速、高集成度、高工作温度）纳米硅薄膜点接触单电子晶体管（SET）的制作和特性测试、纳米硅浮栅单电子存储器的制作和特性测试、硅基单电子器件的Monte Carlo模拟。本项目

中文主题词： 纳米硅;单电子晶体管;单电子存储器;Monte Carlo模拟
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 39
  • 13
  • 0
  • 0
  • 1
期刊论文
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高线密度X射线透射光栅的制作工艺
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会议论文
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著作
《微细加工技术》
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