位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Degradation characteristics and mechanism of PMOSFETs under NBT-PBT-NBT stress
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构：[1]Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60206006）, the Program for New Century Excellent Talents of Ministry of Education of China （Grant No 681231366）, the National Defense Pre-Research Foundation of China （Grant No 51308040103） and the Key Project of Chinese Ministry of Education （Grant No 104172）.
作者： 刘红侠[1], 李忠贺[1], 郝跃[1]
关键词： PMOSFETS, 退化特性, 机理, NBT-PBT-NBT应力, 界面, ultra deep submicron PMOSFETs, negative bias temperature instability （NBTI）, positive bias temperature instability （PBTI）, interface traps
中文摘要：

E-mail： hxliu@mail.xidian.edu.cn

同期刊论文项目
超深亚微米MOSFET的HCI/NBTI效应研究
期刊论文 19
同项目期刊论文
新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析
IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究
高精度Σ-ΔADC中的数字抽取滤波器设计
用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计
嵌入式SRAM的优化修复方法及应用
有丢失物缺陷的铜互连线中位寿命的定量研究
高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响
高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价
超深亚微米PMOSFET的自愈合效应
超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理
考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型
90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用
A bootstrapped switch employing a new clock feed-through compensation technique
EEPROM单元的电荷保持特性
SRAM的高成品率优化设计技术
The role of hydrogen in negative bias temperature instability of pMOSFET
Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs
期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406