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超深亚微米MOSFET的HCI/NBTI效应研究
  • 项目名称：超深亚微米MOSFET的HCI/NBTI效应研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：60206006
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘红侠
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2002
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 19
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期刊论文
超深亚微米PMOSFET的自愈合效应
超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理
考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型
90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用
A bootstrapped switch employing a new clock feed-through compensation technique
EEPROM单元的电荷保持特性
SRAM的高成品率优化设计技术
The role of hydrogen in negative bias temperature instability of pMOSFET
Degradation characteristics and mechanism of PMOSFETs under NBT-PBT-NBT stress
Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价
高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型
高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响
有丢失物缺陷的铜互连线中位寿命的定量研究
嵌入式SRAM的优化修复方法及应用
用于流水线ADC的预运放-锁存比较器的分析与设计
高精度Σ-ΔADC中的数字抽取滤波器设计
IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究
新型高速低功耗CMOS动态比较器的特性分析
刘红侠的项目
　新型高k栅纳米MIS结构的失效物理与性能评估
纳米SOI FinFET的单粒子辐射损伤机理，可靠性表征方法与耦合模型研究
期刊论文 7
　新型高k栅纳米MIS结构的失效物理与性能评估
高k叠层栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构实现与可靠性表征
期刊论文 50 专利 1
新型NdAlO3/SiO2 高k栅堆栈结构的实现与性能评估
期刊论文 39 会议论文 1 专利 1