欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Investigation of dislocations in 8 off-axis 4H-SiC epilayer
ISSN号:1674-1056
期刊名称:Chinese Physics B
时间:0
页码:076106-1-076106-5
语言:英文
相关项目:碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究
作者:
Miao, Rui-Xia|Tang, Xiao-Yan|Zhang, Yi-Men|Zhang, Yu-Ming|Gai, Qing-Feng|
同期刊论文项目
碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究
期刊论文 29
会议论文 2
专利 14
同项目期刊论文
双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)
Study of a 4H-SiC epitaxial n-channel MOSFET
First-principle calculation on the defect energy level of carbon vacancy in 4H SiC
Characteristics of blocking voltage for power 4H-SiC BJTs with mesa edge termination
SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier dio
Relationship of annealing time and intrinsic defects of unintentionally doped 4H-SiC
Methods for Thickness Determination of SiC Homoepilayers by Using Infrared Reflectance Spectroscopy
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
High temperature characterization of double base epilayer 4H-SiC BJTs
一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法
非故意掺杂4H-SiC外延材料本征缺陷的热稳定性
XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度
退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386nm和388nm发射峰的影响
4H-SiC中基面位错发光特性研究
4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
Analytical models for the base transit time of a bipolar transistor with double base epilayers
Effect of Carbonized Conditions on Residual Strain and CrystallinityQuality of Heteroepitaxial Growt
Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除
4H—SiC n—MOSFET新型反型层迁移率模型
基于集合经验模态分解的人体结肠动力分析
Analytical models for the base transit time of a bipolar transistor with double base epilayers
一种碳化硅外延层质量评估新技术
XRD法计算4H—SiC外延单晶中的位错密度
SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes
双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真
Characterization of the heteroepitaxial growth of 3C-SiC on Si during low pressure chemical vapor deposition
Fabrication and characterization of 4H-SiC bipolar junction transistor with double base epilayer
期刊信息
《中国物理B:英文版》
中国科技核心期刊
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
邮编:100080
邮箱:
电话:010-82649026 82649519
国际标准刊号:ISSN:1674-1056
国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
邮发代号:
获奖情况:
国内外数据库收录:
被引量:406