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Silicon-on-nothing MOSFETs fabricated with hydrogen and helium co-implantation
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China, [2]Department of Electrical & Electronic Engineering, Hong Kong University of Science & Technology, Hong Kong, China
  • 相关基金：Project supported by National Natural Science Foundation of China （Grant No 90207004） and State Key Fundamental Research Project of China.
作者： 卜伟海[1], 黄如[1], 黎明[1], 田豫[1], 吴大可[1], 陈文新[2], 王阳元[1]
关键词： 硅绝缘子, 晶体管, SON, 氢氦混合植入, 可行性, 半导体物理学, Silicon-on-Insulator （SOI）, SON, hydrogen and helium co-implantation
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： huangr@ime.pku.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406