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硅基外延GaAs材料的力学仿真分析
  • ISSN号:1000-9787
  • 期刊名称:传感器与微系统
  • 时间:2012.5.20
  • 页码:37-39+43
  • 分类:TB301[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051, [2]中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051
  • 相关基金:国家自然科学基金重点资助项目(50730009),国家自然科学基金面上项目(61171056)
  • 相关项目:硅基III-V族外延量子点RTD隧穿陀螺仪的基础效应研究
中文摘要:

Si,GaAs,Si基异质外延GaAs三种材料的基本力学特性各有不同,通过理论计算和ANSYS仿真得出相同条件下Si基异质外延GaAs材料中GaAs应力转化率是Si和GaAs材料的1.26倍左右,应力造成的位移系数略小于Si,远远小于GaAs,同时经过计算得出Si基异质外延GaAs材料的量程是GaAs材料的5倍,说明Si基外延GaAs材料不仅机械特性良好,而且还明显优于Si和GaAs,有更好的力电耦合效应需要的机械特性。

英文摘要:

The basic mechanical properties of materials of Si,GaAs and Si epitaxial GaAs are different.Using the theoretical calculation and ANSYS simulation the strain conversion rate of Si epitaxial GaAs is 1.26 times large than that of Si materials under the same conditions.The displacement coefficient is slightly less than Si,far less than GaAs materials.Meanwhile,the range of Si epitaxial GaAs is 5 times than GaAs materials by calculated.That means the mechanical properties of Si epitaxial GaAs is obviously better than the materials of Si and GaAs and a better force electric coupling effect.

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期刊信息
  • 《传感器与微系统》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
  • 主编:吴亚林
  • 地址:哈尔滨市南岗区一曼街29号四十九所
  • 邮编:150001
  • 邮箱:st_chinasensor@126.com
  • 电话:0451-82510965
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-9787
  • 国内统一刊号:ISSN:23-1537/TN
  • 邮发代号:14-203
  • 获奖情况:
  • 获全国优秀科技期刊三等奖,获1996年度黑龙江省科技期刊评比,优秀科技期刊壹等奖,获《CAJ-CD》执行优秀奖,获信息产业部2001-2002年度电子科技期刊规范化奖,获信息产业部2003-2004年度优秀电子科技期刊奖,获信息产业部2005-2006年度优秀电子科技期刊奖,获工业和信息化部2007-2008年度电子精品科技期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版)
  • 被引量:10819