位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Improving the internal quantum efficiency of Green InGaN quantum dots through coupled InGaN/GaN quan
  • ISSN号：1882-0778
  • 期刊名称：Applied Physics Express
  • 时间：2015.8.17
  • 页码：-
  • 相关项目：基于磁控溅射和金属诱导结晶的多晶硅薄膜
作者： Yanjun Han|Bing Xiong|Jian Wang|Hongtao Li|
同期刊论文项目
基于磁控溅射和金属诱导结晶的多晶硅薄膜
期刊论文 33 会议论文 5 著作 1
同项目期刊论文
Light-trapping enhancement based on Ga2O3 nano-islands coated glass substrate
Modeling and simulation of ion-filtered inductively coupled plasma using argon plasma
Study on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes based on differential carrier lifetime
Nanocrystalline SnO2 thin films prepared by anodization of sputtered Sn thin films
Study on carrier lifetimes in InGaN multi-quantum well with different barriers by time-resolved phot
Study on improving visible light photocatalytic activity of Ag3PO4 through morphology control
高温真空太阳集热管玻璃-金属熔封结构应力分析
Analysis of residual stress for mismatch metal–glass seals in solar evacuated tubes
基于多晶硅的曲面高反膜研究
InGaN蓝光LED内量子效率的评测
不锈钢衬底表面形貌对AlN/AlN-Cr/Cu太阳能选择性吸收涂层光热性能的影响
蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究
高速InP基半导体电光调制器行波电极结构研究
基于高速EAM集成光源的微波光纤传输链路
基于烟囱效应的集成封装半导体照明光源散热结构优化设计
应用于Ⅲ-Ⅴ族半导体光调制器的模斑变换器设计
新型InP基光子轨道角动量集成光源设计与仿真
高饱和电流光电探测器在低噪声系数和高增益RoF光链路中的应用
基于纳米压印技术制作的线偏振蓝光LED
量子级联波长上转换系统红外响应特性研究
利用表面微结构提高波长上转换红外探测器效率
红外波长上转换器件中载流子阻挡结构的研究
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究
倒装焊对探测器频响特性影响的理论分析及工艺优化
集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化
Size-dependent optical properties of InGaN quantum dots in GaN nanowires grown by MBE
Recent progresses on InGaN quantum dot light-emitting diodes
Metal-organic-vapor phase epitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diodes
Simple dynamic energy core equivalent rays method to design freeform surface for extended source