欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
中文摘要：
在 nanowires (DINW ) 的量点为新奇 nanoscale 半导体 optoelectronic 设备被认为积木同样重要。在这份报纸，纯轴的异质接面 InGaN/GaN DINW 被使用帮助血浆的分子的横梁取向附生(PA-MBE ) 种系统。InGaN 量点(QD ) 是像磁盘的由扫描电子显微镜学(SEM ) 和传播电子显微镜学(TEM ) 观察了。QD 的直径能被 nanowires (NW ) 的生长条件控制，当 QD 的厚度能到 InGaN 的生长时间被控制时。温度依赖者光致发光(TDPL ) 大小证明有小、一致的尺寸的 DINW 的 PL 山峰与增加温度显示出一般红移动。然而，有不一致的尺寸的 DINW 的 PL 山峰与增加温度显示出反常蓝移动，它由于有不同尺寸的 DINW 的不同的内部量效率。
英文摘要：
Quantum dots in nanowires （DINWs） are considered as important building blocks for novel nanoscale semiconductor optoelectronic devices. In this paper, pure axial heterojunction InGaN/GaN DINWs are grown by using plasma-assisted molecular beam epitaxy （PA-MBE） system. The InGaN quantum dots （QDs） are disk-like observed by scanning electron microscopy （SEM） and transmission electron microscopy （TEM）. The diameter of QDs can be controlled by the growth conditions of nanowires （NWs）, while the thickness of QDs can be controlled by the growth time of lnGaN. Temperature-dependent photoluminescence （TDPL） measurements demonstrate that the PL peak of DINWs with small and uniform sizes shows a general red shift with increasing temperature. However, the PL peak of D1NWs with non-uniform sizes shows an abnormal blue shift with increasing temperature, which is due to different internal quantum efficiencies of the DINWs with different sizes.
同期刊论文项目
同项目期刊论文
Improving the internalquantum efficiency of green InGaN quantum dots through coupled InGaN/GaNquantu
InGaN quantum dot green light-emitting diodes with negligible blue shift of electroluminescence peak
Metal-organic-vapor phaseepitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diod
Improving the internal quantum efficiency of Green InGaN quantum dots through coupled InGaN/GaN quan
期刊信息
位置：