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中文摘要：
采用脉冲激光烧蚀技术，分别通过引入氩气流、外加电场和引入激光光束的方法，对纳米硅晶粒施加垂直于羽辉轴线方向上的外力，在羽辉下方平行于羽辉方向的衬底上沉积制备纳米硅晶薄膜；采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、x射线衍射（XRD）和Raman谱等技术，研究距靶不同位置的薄膜中晶粒尺寸分布和数密度分布的特征；改变引入外力的位置或强度，结合晶粒形成和输运的动力学过程分析，提出定量确定晶粒的成核区特征参量（位置和范围等）的新方法，在典型制备条件（激光能量密度4 J/cm2和10 Pa氩气环境）下成核区位于距靶0.01 cm－3.38 cm处，成核与长大概率随与靶距离呈高斯分布；研究环境气体种类、环境气压、二元环境气体混合比例等实验参数对成核区特征参量的影响，以探求影响成核区位置和范围的关键因素，揭示激光烧蚀过程中成核区动力学机理；对"成核区"和"交叠区"的关系、烧蚀粒子速度劈裂的本质、不同组态原子到纳米晶粒组态所需克服的成核势垒进行研究，深化晶粒成核与长大机理。本项目的完成，为实现晶粒尺寸分布的均匀可控提供了理论依据，有助于硅基光电集成和新一代太阳能电池技术的发展。
结论摘要：
英文主题词nanocrystalline Si film; pulsed laser ablation; Si nanoparticle; dynamics; nucleation region
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