欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
位置：立项数据库 > 立项详情页
中文摘要：
提出了全MOCVD（金属有机物化学气相外延）法制造ZnO基（及其多元氧化物）透明薄膜晶体管（Transparent Thin Film Transistors, TTFT），研究其材料生长、器件结构及制造工艺。全MOCVD制造ZnO-TTFT工艺简单、均匀性好、器件制造过程沾污小、器件可靠。采用ZnO-TTFT可提高LCD、OLED显示屏开口率，提高显示品质，并且ZnO-TTFT对可见光无反应，不需要遮光层，简化工艺；ZnO-TTFT结合ZnO透明电极技术还可以制造透明集成电路，将在伪三维立体显示屏、汽车智能显示、航空头盔显示等平面显示、光学信息处理、宇航、军事领域有广泛应用前景。
成果综合统计
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
期刊论文
Annealing effects on electrical and optical properties of ZnO films deposited on GaAs by metal organ
Room temperature electroluminescence from the ZnO homojunction grown on an n(+)-Si substrate by meta
p-type ZnO thin films prepared by metal organic chemical vapor deposition using metal organic dopant
Effect of the magnesium composition on the properties of MgxZn1-xO-based homojunction light-emitting
Enhanced p-type ZnO films through nitrogen and argentum codoping grown by ultrasonic spray pyrolysis
Realization of ultraviolet electroluminescence from ZnO homojunction with n-ZnO /p-ZnO:As/GaAs struc
Room temperature defect related electroluminescence from ZnO homojunctions grown by ultrasonic spray
Visual-infrared electroluminescence emission from ZnO/GaAs heterojunctions grown by metal-organic ch
Electroluminescence from n-ZnO/p-ZnO:Sb homojunction light emitting diode on sapphire substrate with
Optical and electronic propertyes of ZnO:P/n+-Si heterostructures fabricated by metalorganic chemica
相关项目
杜国同的项目