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MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:半导体光电
  • 时间:0
  • 页码:36-42
  • 语言:中文
  • 分类:TN304[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,吉林长春130012, [2]大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116023
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(60576054,50532080).
  • 相关项目:稳定高效的ZnOp型掺杂与生长设备、可控技术及测试方法研究
中文摘要:

采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)P—Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。

英文摘要:

Based on orthogonal design, ZnO films were prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) on (100) p-Si substrate. Mathematical statistical method was employed to analyze the experimental results derived from optical measurements with photoluminescence spectra measurement system. Dependences of the films' optical properties on three main factors of growth temperature, Zn source temperature and flow rate of oxygen were investigated, respectively. The comprehensive optimal fabrication condition of ZnO films was obtained as well ultimately, that is 630 ℃ for growth temperature, --18 ℃ for Zn source temperature, and 200 sccm for flow rate of oxygen. The result of X-ray diffraction indicates that the films grown under the optimized conditions has good crystal quality.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924