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ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究
  • ISSN号：1007-2780
  • 期刊名称：《液晶与显示》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.21[电子电信—物理电子学] TN321.5[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春130033, [2]中国科学院研究生院,北京100049, [3]北方液晶工程研究开发中心,吉林长春130033
  • 相关基金：国家自然科学基金（No.60576054,No.60576043,No.60576056,No.60786013）;教育部新世纪优秀人才支持计划（No.05-0326）;长春市科技局产业化项目（No.2006303）
作者： 马仙梅[1,2,3], 荆海[1,3], 马凯[1], 王龙彦[1,2,3], 王中健[1,2,3]
关键词： 氧化锌薄膜晶体管, 氧化锌薄膜, X射线衍射, 光致发光, ZnO-TFT, ZnO thin film, XRD, PL
中文摘要：

采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是：XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。

英文摘要：

ZnO films were grown on SiNx/glass substrate by the method of MOCVD. The qualities of the ZnO films were characterized by XRD and photo luminescence spectra. The results indicated that the full width at half height of XRD intrinsic peak is 0. 176°, and there is only a peak at 381.1 nm in the PL spectra. Both results exhibit the preponderance of our ZnO films in their photoelectrieity charac-teristics. A bottom-gate-type ZnO-TFT was constructed successfully, and the measurements show that the device has an obvious field effect performance and a favorable saturation characteristic.

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期刊信息
  • 《液晶与显示》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国光学光电子行业协会液晶分会 中国物理学会液晶分会
  • 主编：郭海成
  • 地址：长春市东南湖大路3888号
  • 邮编：130033
  • 邮箱：yjxs@ciomp.ac.cn
  • 电话：0431-86176059
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-2780
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1259/O4
  • 邮发代号:12-203
  • 获奖情况:
  • 中国科学论文统计源期刊,中国科学引文数据库来源期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:5470