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Conduction Mechanism of Self-Rectifying n+Si-HfO2-Ni RRAM
  • 所属机构名称:复旦大学
  • 会议名称:Proc. 2013 10th IEEE International Conference on ASIC (ASICON)
  • 时间:2013.10.10
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:纳米CMOS器件的可靠性表征技术、失效机理及预测模型研究
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