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中文摘要：
采用同轴静电纺丝技术，以硝酸锌、正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和N，N-Z-甲基甲酰胺（DMF）为原料，成功制备出大量的ZnO@SiO2同轴纳米电缆。用TG—DTA，XRD，SEM，TEM，FTIR等分析技术对样品进行了表征。结果表明，得到的ZnO@SiO2同轴纳米电缆的壳层为无定型SiO2，厚度为50nm，芯轴为晶态ZnO，电缆直径为300-450nm，长度大于300μm。探讨了ZnO@SiO2同轴纳米电缆的形成机理。
英文摘要：
ZnO@SiO2 coaxial nanocables were prepared in lagre scale by coaxial electrospinning using Zn（NO3）2, C8H20O4Si, absolute ethanol, Polyvinylpyrrolidone（PVP） and Dimethylformamide（DMF） as the starting materials. The samples were characterized by TG-DTA, XRD, SEM, TEM and FFIR techniques. The as-prepared coaxial nanocables with a mean outer diameter of 300-450 nm and shell thickness of 50 nm are with a crystalline ZnO core and an amorphous shell of SiO2. The length of ZnO@SiO2 nanocables is greater than 300 μm.
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