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Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene
  • ISSN号：1000-324X
  • 期刊名称：Journal of Inorganic Materials
  • 时间：2012.9
  • 页码：956-960
  • 相关项目：Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究
作者： Xia Chao|Cao Duo|Jia Ting-Ting|Yu Yue-Hui|
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期刊信息
  • 《无机材料学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院上海硅酸盐所
  • 主编：郭景坤
  • 地址：上海市定西路1295号
  • 邮编：200050
  • 邮箱：wjclxb@mail.sic.ac.cn
  • 电话：021-52411302
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-324X
  • 国内统一刊号：ISSN：31-1363/TQ
  • 邮发代号:4-504
  • 获奖情况:
  • 获"中国百种杰出学术期刊"称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:21274