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工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计
  • ISSN号:1006-7167
  • 期刊名称:《实验室研究与探索》
  • 时间:0
  • 分类:TN433.01[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025
  • 相关基金:贵州大学研究生创新基金资助项目(理工2012018)致谢:本设计得以完成,衷心感谢我的导师傅兴华教授、同学王元发,感谢国家提供的网络资源,感谢父母的支持,感谢我自己的不懈努力才得以完成,最后感谢期刊能够收稿.
中文摘要:

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μmBiCMOS工艺,采用Cadencespice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃-100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.

英文摘要:

A pure-MOS voltage reference circuit without BJT and big resistors and amplifier working at subthreshold is designed by using NMOS and source coupled pairs transistors operating in subthreshold region. The circuit was simulated in cadence spectre software in a standard 0. 5μm CSMC CMOS process. The output voltage and power dissipation are 1. 520V and 200nA respectively, temperature coefficienee is about 31.30μpm℃ ranging from --20℃ to 100℃.

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期刊信息
  • 《实验室研究与探索》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:教育部
  • 主办单位:上海交通大学
  • 主编:夏有为
  • 地址:上海市市南区华山路1954号交教学三楼456、457
  • 邮编:200030
  • 邮箱:sysycp@163.com sysy@mail.sjtu.edu.cn
  • 电话:021-62932952 62932875
  • 国际标准刊号:ISSN:1006-7167
  • 国内统一刊号:ISSN:31-1707/T
  • 邮发代号:4-834
  • 获奖情况:
  • 国家科技部中国科技论文统计源期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),美国乌利希期刊指南,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
  • 被引量:53638