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Improvement of Atomic-Layer-Deposited Al2O3/GaAs Interface Property by Sulfuration and NH3 Thermal N
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：CHINESE PHYSICS LETTERS
  • 时间：0
  • 页码：3954-3956
  • 语言：英文
  • 相关项目：原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
作者： Dong Lin|Sun Qing-Qing|Liu Han|Ding Shi-Jin|Zhang Wei|Shi Yu|
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原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
期刊论文 27
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院物理研究所、中国物理学会
  • 主编：
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
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  • 被引量:190