中文摘要：

二种短时期的类型 II 超点阵( SL ) InAs ( 6 单层( ML )) /GaSb ( 3 ML )和 InAs ( 8 ML )能当作的 /GaSb ( 8 ML )中间红外线(米尔)察觉被分子的横梁取向附生( MBE )在p类型 GaSb 上种了( 100 )底层。为二超点阵( SL )的截止波长被发现在 4.8 附近????????????????????????????????????????吗???????????????？？

英文摘要：

Two kinds of short-period type II superlattices （SLs） InAs （6 monolayers （MLs））/GaSb （3 MLs） and InAs （8 MLs）/GaSb （8 MLs） which can serve for mid-infrared （MIR） detection have been grown by molecular beam epitaxy （MBE） on p-type GaSh （100） substrates. The cutoff wavelength for the two superlattices （SLs） was found to be around 4.8 μm at 300 K. The high resolution X-ray diffraction （HRXRD） measurements indicated that the InAs （8 MLs）/GaSb （8 MLs） SLs have better crystalline quality than that of the InAs （6 MLs）/GaSb （3 MLs） SLs. How-ever, compared with infrared absorption in the 2.5-4.3μm range, the optical absorption of InAs （6 MLs）/GaSb （3 MLs） SLs was more excellent. This can be attributed to increase probability of the electron and hole wave function overlap in the thinner period thickness.