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N_2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备
  • ISSN号:1000-7032
  • 期刊名称:《发光学报》
  • 时间:0
  • 分类:O482.31[理学—固体物理;理学—物理] TN383.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院激发态物理重点实验室,吉林长春130033, [2]中国科学院研究生院,北京100049, [3]长春理工大学理学院,吉林长春130022
  • 相关基金:国家自然科学重点基金(60336001,50532050);中国科学院二期创新项目;国家自然科学基金(60429403,60506014,60376009,50402016,60501025)资助项目.
中文摘要:

采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420nm附近的发光峰和500-700nm的发光带。

英文摘要:

p-type ZnO has attracted more and more attention because it is necessary to fabricate ZnO devices based on current injection. More and more improvements on p-type ZnO and p-n junctions are reported. However, electroluminescence in these works was rarely observed. We have already succeed in fabricating a ZnO p-n junction LED on sapphire substrate by using activated NO plasma. Here, N2 was used as the acceptor dopant and O2 was used as assistant gas as well as oxygen source. Emission spectra of the N2-O2 plasma were monitored in situ to adjust parameters timely. Electronics measurements of the as-grown p-type ZnO on sapphire shows a carrier concentration of 1.2 × 10^18 cm^ -3 and mobility approach to 1 cm^2 · V ^-1 · s^-1 The LED based on p-n junction shows a certain rectification effect and the turn on voltage is 3.10 V, which is consistent with the bandgap of ZnO. Electroluminescence spectra shows two bands: one is at 420 nm, from donoracceptor pairs; and the other ranges from 500 to 700 nm, which is attributed to the emissions from point defects in ZnO.

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期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编:申德振
  • 地址:长春市东南湖大路3888号
  • 邮编:130033
  • 邮箱:fgxbt@126.com
  • 电话:0431-86176862
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-7032
  • 国内统一刊号:ISSN:22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7320