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中文摘要：
针对下一代集成电路硅晶片、集成电路芯片、计算机硬盘盘基片等材料表面高平坦化、原子级粗糙度和低损伤的加工要求，以及现有化学机械抛光（CMP）技术中存在的问题，提出研制具有化学机械组合作用的功能性抛光粒子以取代传统抛光磨粒的新思路，并研究功能性抛光粒子物理化学效应、流体运动、化学机械作用的特殊规律，及其实现可控选择性化学机械抛光的原理。通过综合研究功能性粒子抛光液特性、被抛光材料性质及抛光工艺参数等的相互关系，以流体力学、界面化学、摩擦化学等原理为基础，探索新型抛光液体系的高平坦化、原子级抛光机理，为下一代集成电路硅晶片、芯片、计算机硬盘盘基片等材料的制造提供技术和理论支持。
结论摘要：
英文主题词Functinal particles combined chemical and mechanical effects；Chemical mechanical polishing；Atomic-level polishing
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