欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
中文摘要：
在借助于 micro-Raman 光谱学的多孔的硅微观结构的剩余压力上的试验性的调查被介绍。它被与严肃的剩余压力在整个多孔的硅结构以内复杂地散布的不同的孔在电气化学的蚀刻的多孔的硅样品的表面和剖面图上检测拉曼山峰移动显示出。micro-Raman 光谱学是为在在光电子和微电子学使用的微观结构上测试的剩余应力的一个有效方法，这被证明。CLC 数字 TP206+ 1 Antrag GZ 398， Ghinesisch-Deutsches Zentrum f 眉 r Wissenschaftsf ? rderung 这个工作被中国(10232030 ) 的国家自然科学基础支持
英文摘要：
An experimental investigation on the residual stress in porous silicon micro-structure by means of micro-Raman spectroscopy is presented. It is shown by detecting the Raman peak shifts on the surfaces and cross-sections of electrochemical etched porous silicon samples with different porosities that serious residual stresses distribute complicatedly within the whole porous silicon structure. It is proved that micro-Raman spectroscopy is an effective method for residual stress testing on the micro-structures applied in optoelectronics and microelectronics.
同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
位置：