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基于ZnO/Si结构的声表面波器件设计研究
  • ISSN号:1004-2474
  • 期刊名称:《压电与声光》
  • 时间:0
  • 分类:TN384[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州310027
  • 相关基金:国家自然科学重点基金资助项目(60936002);国家自然科学基金资助项目(61171038)
中文摘要:

微机电系统(MEMS)工艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件。声表面波(SAW)器件是性能优良的MEMS器件。该文利用多物理耦合场软件COMSOLMultiphysics仿真了氧化锌/硅(ZnO/Si)结构SAW谐振器,并得到其S11参数。对应于仿真,该文制造了该种结构的SAW器件。实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备,所制备的ZnO具有良好的(002)取向。实验测得的ZnO/Si结构SAW器件的中心频率为111.6MHz,与仿真结构接近。

英文摘要:

MEMS process has been widely used to manufacture a variety of silicon-based thin film devices. Surface acoustic wave(SAW) device is a kind of MEMS devices with excellent properties. In this paper, The ZnO/Si based SAW devices were simulated by COMSOL Multiphysics and the S11 parameters were obtained. According to the simulation results, we manufactured the ZnO/Si based SAW devices. ZnO thin film with good (002) orientation was deposited by radio frequeney(RF)-magnetron-sputtered. The ZnO/Si based SAW device with center frequency of 111.6 MHz has been obtained and the result is close to that obtained by the simulation structure.

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期刊信息
  • 《压电与声光》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电科第二十六研究所
  • 主编:胡少勤
  • 地址:重庆南坪花园路14号26所
  • 邮编:400060
  • 邮箱:ydsgsipat@163.com
  • 电话:023-62919570
  • 国际标准刊号:ISSN:1004-2474
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1091/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1984年获电子部优秀科技期刊三等奖,1990年获电子行业优秀科技期刊三等奖,1990年获首届机电部优秀科技期刊二等奖,1990年获首届四川省优秀科技期刊二等奖,1991年获首届国防科技工委优秀科技期刊二等奖,1992年获第二届机电部优秀科技期刊三等奖,1992年获第二届四川省优秀科技期刊二等奖,1993年获第一届全国优秀科技期刊三等奖,1995年获首届四川省宣传部、省新闻出版局、省期刊...,1995年获四川省第三届优秀科技期刊二等奖,1995-1996年获信息产业部电子优秀科
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),波兰哥白尼索引,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
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