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　相变存储器规模制造技术关键基础问题研究
  • 项目名称：　相变存储器规模制造技术关键基础问题研究
  • 批准号：2010CB934300
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：刘波
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 24
  • 0
  • 0
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期刊论文
Scaling properties of phase-change line memory
Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material
用于相变存储器的超低输出纹波电荷泵
Dry etching of new phase-change material Al1.3Sb3Te in CF4/Ar plasma
An SPICE model for phase-change memory simulations
基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器
一种具有掉电数据保持功能的触发器设计
基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统
基于相变存储器的SD卡系统设计
Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展
Endurance characteristics of phase change memory cells
DOIND： a technique for leakage reduction in nanoscale domino logic circuits
The effect of oxygen plasma ashing on the resistance of TiN bottom electrode for phase change memory
Chemical mechanical planarization of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 with a soft pad
操作电流对相变存储器单元疲劳特性的影响
带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计
基于PCRAM数据页聚簇的缓冲算法
基于二极管单元的高密度掩模ROM设计
A Phase Change Memory Chip Based on Ti Sb Te Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology
Thermal effect of Ge2Sb2Te5 in phase change memory device
Chemical mechanical planarization of Ge2Sb2Te5 using IC1010 and Politex reg pads in acidic slurry
大电流负载的片上LDO系统设计
Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid
相变存储器失效时间分析
刘波的项目
CRAM新型存储材料GeTi及其存储机理研究
期刊论文 1