位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
基于PCRAM数据页聚簇的缓冲算法
  • ISSN号:1681-5289
  • 期刊名称:《中国集成电路》
  • 时间:0
  • 分类:TP393[自动化与计算机技术—计算机应用技术;自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
  • 作者机构:[1]上海中科院微系统与信息技术研究所,上海200050
  • 相关基金:本项目由以下基金资助:国家重点基础研究发展计划(2010CB934300,2011CBA00607,2011CB932800)、国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003)、国家自然科学基金(60906004,60906003,61006087,61076121)、上海市科委(1052nm07000)资助项目.
中文摘要:

针对Flash写前需擦除,读写I/0开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘(Solid State Disk,SSD)访问性能以及降低系统功耗具有重要理论意义和应用价值。文章提出了一种新型存储架构,并实现了一种适用于SSD的基于相变存储器(Phase Change Memory,PCRAM)数据页聚簇的缓冲算法。文章中详细介绍了基于PCRAM聚簇的缓冲算法关键技术及原理,充分阐述算法相关元数据、存储数据、FTL管理与控制以及详尽分析了缓冲算法的读、写操作控制原理,最后通过F1ashSim仿真平台实现SSD写缓冲。基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度,降低系统功耗。

英文摘要:

For the inherent characteristics of flash memory such as erase before write, the I/O overhead of reading and writing unbalance, and so on, studying the buffer management of flash memory has important theoretical significance and application value to improve access performance and reduce system power consumption of Flash-based SSD ( Solid State Disk,SSD ). It has presented a new storage architecture and implemented a buffer algorithm used for SSD ,which is based on the cluster of pcram ( Phase Change Memory, PCRAM ) pages. The key technology and the principle of the algorithm based on cluster of pcram pages has been described in detail, the metadata, storage data, FTL management, read and write operations control principle for the buffer algorithm has been fully articulated and the writing of SSD buffer management is implemented on basis of Flashsim platform. Compared the performances of traditional buffer algorithm and the new algorithm, it indicates that the buffer algorithm based on the cluster of pcram pages can reduce the random write times and the data dispersion of SSD and improve the average response rate of SSD and reduce system power consumption.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《中国集成电路》
  • 主管单位:中华人民共和国工业和信息化部
  • 主办单位:中国半导体行业协会
  • 主编:王正华 魏少军
  • 地址:北京市顺义区仁和镇顺和花园一区15号楼二单元501室
  • 邮编:101300
  • 邮箱:Wangzh@cidc.com.cn
  • 电话:010-64372248
  • 国际标准刊号:ISSN:1681-5289
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5209/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:1517