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中文摘要：
采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜，对薄膜进行了XRD和AFM分析，并对其电性能作了研究。结果表明，掺杂量低于15％（原子分数）时，AZO薄膜结构为纤锌矿结构，呈c轴方向择优生长，没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80％以上，其最高电阻率出现在掺杂量为30％（原子分数），为1．3×10^7Ω·cm。
英文摘要：
ZnO ： Al （AZO） thin films were grown by RF sputtering. Their microstructures and morphologies were studied with X-ray diffraction spectroscopy （XRD） and AFM. The resistance of AZO thin films was measured with a four-point probe method. The results show that they have a polycrystalline hexagonal wurtzite structure with a high preferred orientation along the （002） plane when the Al concentration below 15at%. Their optical transmittance are over 80 %. The AZO films has a maximum resistivity of 1.3×10^7Ω·cm.
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