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ZnO基紫外探测器研究进展
  • 期刊名称:物理,35(7),2006,595-598
  • 时间:0
  • 分类:TN23[电子电信—物理电子学] TN304.21[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054, [2]电子科技大学物理电子学院,成都610054
  • 相关基金:国家重点科学基础研究发展计划(批准号:51310209-4)、国家自然科学基金(批准号:60390073)、四川省应用基础研究(批准号:05JY02906801)资助项目
  • 相关项目:极化诱导能带工程与激子基量子系统
中文摘要:

近年来,直接带隙宽禁带半导体ZnO(3.37eV)以其优越的光电特性而成为紫外探测领域研究中的新热点。文章介绍了不同类型的ZnO基紫外光敏探测器的结构和性能,并对ZnO基紫外光敏探测器的最新研究进展和应用前景进行探讨和展望。

英文摘要:

Recently, ZnO has been regarded as a promising material for UV detectors due to its wide direct bandgap energy of 3.37 eV and excellent optical and electrical properties. We describe the structure and performance of various types of ZnO - based UV detectors, and present a detailed overview of the latest research progress in this field.

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