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一种制备高质量ZnO薄膜的新型固相源
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
  • 相关基金：国家自然科学基金重大项目(批准号:60390073)及四川省应用基础研究项目(批准号:JY0290681)资助项目
作者： 戴丽萍[1], 邓宏[1], 陈根[1], 陈金菊[1]
关键词： 固相源, SSCVD, ZNO薄膜, 光致发光
中文摘要：

采用一种新型的单一固相源并利用单源化学气相沉积(SS CVD)技术,在Si(100)上制备出高质量的ZnO 薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析(TGA)表征源的化学和物理特性.FTIR测试表明该源具有新型的化学结构,其结构可用Zn4(OH)2(O2 CCH3)6·2H2O表示;TGA表明该源在常温下稳定,在211℃下能完全分解.所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱、光致发光谱进行了分析.分析结果表明,采用这种固相源能够制备出高质量的ZnP薄膜.

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
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