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中文摘要：
采用热分解ZnO粉末法，以Au为催化剂，在Si（100）衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列。用扫描电子显微镜（SEM）分析表明：ZnO纳米线的直径在100nm左右，长度约3μm，与衬底表面的夹角约为70．5°，纳米线具有四个特定的倾斜方向A，B，C，D。X射线衍射（XRD）图谱上只有ZnO（0002）衍射峰，说明ZnO纳米线沿C轴择优生长。结合Si与ZnO的晶格结构特征，理论研究得出ZnO纳米线与Si基片的晶格匹配关系为：[0001]ZnO／／[114]Si，[0001]ZnO／／[1^-1^-4]Si，[0001]ZnO／／[11^-4]Si，[0001]ZnO／／[1^-14]Si，失配度为1．54％。得出了Si（100）衬底对ZnO纳米线生长方向具有控制作用的结论。
英文摘要：
Epitaxial ZnO nanowires array were grown on silicon （100） wafer of 10 mm×10 mm with Au catalysis by thermal evaporation ZnO powders technique. The majority of the nanowires grow in one of the four directions （A, B, C, D） all at an angle of 70.5° off substrate plane with nanowires having an average diameter of 100 nm and lengths of about 3 μm. The XRD pattern indicates ZnO nanowires grow along C axis. The growth mechanism can explain as [0001 ] ZnO//[114]Si, [0001]ZnO//[1^-1^-4]Si, [0001]ZnO//[11^-4]s, [0001]ZnO//[1^-14]Si epitaxy and crystal lattice mismatch is 1.54%. Which indicates Si （100） substrate controls growing orientation of ZnO nanowires array.
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