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1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition
  • ISSN号：1671-4776
  • 期刊名称：《微纳电子技术》
  • 时间：0
  • 分类：TN32[电子电信—物理电子学] TN304.23[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Reliability and System Engineering, Beihang University, B eijing 100191, China, [2]Information & Communication College, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China
  • 相关基金：Project（Z132012A001） supported by the Technical Basis Research Program in Science and Industry Bureau of China; Project（61201028 60876009） supported by the National Natural Science Foundation of China.
作者： 高成[1], 李海鸥[2], 黄姣英[1], 刁胜龙[1]
关键词： 高电子迁移率晶体管, 砷化铟镓, INP基, 化学气相淀积, 有机物, 精神, MOCVD, 化学气相沉积, metamorphic device, mental organic chemical vapor deposition, high electron mobility transistors, InP substrate, InGaAs
中文摘要：

Corresponding author： HUANG Jiao-ying, PhD; Tel： ＋86-13691064827; E-mail： huangjy@buaa.edu.cn

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期刊信息
  • 《微纳电子技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编：李和委
  • 地址：石家庄市179信箱46分箱
  • 邮编：050002
  • 邮箱：wndz@vip.sina.com
  • 电话：0311-87091487
  • 国际标准刊号：ISSN：1671-4776
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1314/TN
  • 邮发代号:18-60
  • 获奖情况:
  • 2002-2003和2003-2004年度，均获信息产业部电子科...,2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术...,中国学术期刊执行（光盘版）检索与评价数据规范优...,2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊...
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:3327