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Characterization of a Czochralski grown silicon crystal doped with 10(20) cm(-3) germanium
  • ISSN号:0232-1300
  • 期刊名称:Crystal Research and Technology
  • 时间:0
  • 页码:10-13
  • 相关项目:大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
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