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C545T对Al/MoO3复合阳极OLED性能的影响
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:TN383.1[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]陕西科技大学材料科学与工程学院,西安710021, [2]西安高技术研究所,西安710025
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金项目(61076066,50972087);陕西科技大学博士基金项目(BJ09-07).
中文摘要:

制备了以Al/MoO3为复合阳极的有机电致发光器件,其结构为:Al/MoO3/NPB/Alq3:C545T(x%)/Alq3/LiF/Al。比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性。当C545T掺杂浓度为8%时,主客体间的能量转移最充分,器件的启亮电压为2.75V,器件在13V时获得最高亮度为27000cd/m^2,发光效率为6.97cd/A。用Fowler—Nordheim隧道效应理论和载流子注入机制,分析了以Al/MoO3为复合阳极的OLED器件性能。

英文摘要:

The organic light-emitting diodes with the structure of Al/MoO3/NPB/Alq3 : C545T(x%)/Alq3/LiF/ Al were prepared by using alumina/molybdenum trioxide as the composite anode. Electroluminescent characteristics of the device with different doping concentrations of C545T were analyzed comparatively. The results show the energy transfer is most efficient between subject and object when the doped concentration is 8%, meanwhile, the driving voltage of fluorescent device is 2.75 V. The device exhibits maximum luminescence value of 27 000 cd/m^2 and luminous efficiency of 6.97 cd/A under the voltage of 13 V. The performance of the OLED using Al/MoO3 as composite anode was analyzed according to the theory of Fowler- Nordheim tunnel effect and carrier injection mechanism.

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924