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Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO2-Based RRAM
  • ISSN号:2045-2322
  • 期刊名称:Scientific Reports
  • 时间:2013.10.14
  • 页码:2929-2929
  • 相关项目:新型微电子器件集成的基础研究
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