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表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
ISSN号:2095-2783
期刊名称:中国科技论文
时间:2014.10.15
页码:1206-1208
相关项目:常关型宽禁带氮化镓MOS场效应晶体管的研究
作者:
王硕|贺致远|倪毅强|刘扬|
关于刘扬:
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期刊信息
《中国科技论文》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中华人民共和国教育部
主办单位:教育部科技发展中心
主编:李志民
地址:北京市海淀区中关村大街35号教育部科技发展中心
邮编:100080
邮箱:tougao@cutech.edu.cn
电话:010-62514339
国际标准刊号:ISSN:2095-2783
国内统一刊号:ISSN:10-1033/N
邮发代号:2-366
获奖情况:
国内外数据库收录:
俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),波兰哥白尼索引,美国乌利希期刊指南,美国剑桥科学文摘,中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版)
被引量:1297