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电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN22[电子电信—物理电子学] TN306[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051, [2]中国电子科技集团公司第二十九研究所,成都610036
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(50237040)
中文摘要:

介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式。利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论。实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源器件,指出了对GaAs器件加固的一些措施,对器件设计者和使用者具有一定的参考意义。

英文摘要:

The damage mechanisms and damage mode of electromagnetic pulse on GaAs LNA (low noise amplifier) were introduced. The LNA was damaged by special electromagnetic pulse single, some damage mechanisms and damage mode were analyzed and discussed through interior inspection after opening cap and SEM under electromagnetic pulse test conditions. The results show that the degradation and damage of GaAs LNA are related to active and passive parts and environments, mainly failure locates in active parts of GaAs LNA. Some reinforcing methods on GaAs devices are given. It provides some references to designer and users of this sort of device.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070