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Improvement of resistive switching performances via an amorphous ZrO<sub>2</sub> layer f
  • ISSN号:0021-8979
  • 期刊名称:Journal of Applied Physics
  • 时间:2014
  • 页码:-
  • 相关项目:铁电薄膜及其存储器中界面与应变效应的研究
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