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高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究
  • ISSN号:1001-5868
  • 期刊名称:《半导体光电》
  • 时间:0
  • 分类:O484.41[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭411105, [2]湘潭大学材料设计及制备技术湖南省重点实验室,湘潭411105, [3]湘潭大学装备用关键薄膜材料及应用湖南省国防科技重点实验室,湘潭411105, [4]中国科学院西安光学精密机械研究所,西安710119
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(11372266)
中文摘要:

采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60 eV。以脉宽300 fs,波长800 nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

英文摘要:

The polycrystalline Bi4Ti3O12 (BIT) thin films with a-orientation were fabricated on the quartz substrates by a sol-gel technique. The fundamental optical constants (the bandgap, liner refractive index, and absorption coefficient) were determined as a function of light wavelength by optical transmittance measurements. By single-beam Z-scan experiments with femtosecond laser pulses at a wavelength of 800 nm, the third-order nonlinear refraction index and two-photon absorption coefficient were measured to be -1.02× 10^-2 GW· cm^-2 and 100.31 GW· cm^-2, respectively. The results indicate that the BIT candidate for applications in nonlinear photonic devices. film is a promising

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期刊信息
  • 《半导体光电》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:信息产业部
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
  • 主编:江永清
  • 地址:重庆市南岸区南坪花园路14号
  • 邮编:400060
  • 邮箱:soe@163.net
  • 电话:023-65860286
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-5868
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1092/TN
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 重庆市首届十佳期刊称号,1999年,信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:5924