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Impact of HfTaO Buffer Layer on Data Retention Characteristics of Ferroelectric-Gate FET for Nonvola
  • ISSN号:0018-9383
  • 期刊名称:IEEE Transactions on Electron Devices
  • 时间:2011
  • 页码:-
  • 相关项目:铁电薄膜及其存储器中界面与应变效应的研究
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