位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
退火处理对ZnO／Si异质结光电转换特性的影响
  • ISSN号：1005-023X
  • 期刊名称：《材料导报》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.21[电子电信—物理电子学] TQ164.8[化学工程—高温制品工业]
  • 作者机构：[1]洛阳师范学院物理与电子信息学院,洛阳471022, [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026
  • 相关基金：国家自然科学基金（50532070）;中国科学院三期创新项目（KJCX3.5YW.W01）
作者： 张伟英[1,2], 刘振中[1], 刘照军[1], 梁会琴[1], 傅竹西[2]
关键词： 退火, 异质结, 光电转换, annealing, heterojunction, photovoltaic effect
中文摘要：

采用直流反应溅射方法在P型Si（100）衬底上生长掺Al的ZnO薄膜，并研究退火处理对ZnO薄膜性质的影响。XRD测量结果表明，ZnO薄膜为六方纤锌矿结构，退火后薄膜的晶粒长大，晶界减少；暗态I-V特性曲线表明，ZnO／Si异质结具有明显的整流特性，退火后由于晶粒间界减少和空位浓度降低使反向漏电流降低1个量级；此外，退火处理能在一定程度上改善异质结的光伏效应，使其转换效率提高。

英文摘要：

ZnO films doped with A1 is prepared on p type Si （100） substrates by DC reactive sputtering. Influence of annealing treatment on photovohaic property of ZnO/Si heterojunction is investigated. XRD results demonstrate that the ZnO films has hexagnal wurtzite structure with strong c axis orientation, and crystal grain becomes larger by annealing. I-V characteristics suggest that heterojunction show apparently rectifying behavior, and reverse leak current reduces one order of magnitude by annealing. It is worthy to emphasize that the photovohaic convertion efficient is also improved obviouly.

同期刊论文项目
氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究
期刊论文 101 专利 2
同项目期刊论文
Effect of Zn doping on ultraviolet emission of ZnO crystals
Effect of total gas velocity on the growth of ZnO films by metal-organic chemical vapor deposition
Enhancement of ultraviolet emissions from ZnO films by Ag doping
Strong ultraviolet emission and rectifying behavior of nanocrystalline ZnO films
Metallorganic chemical vapor deposition of ZnO films on carbonized Si(111) and Si(100) substrates (v
Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)
Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较
衬底温度对 PLD 方法生长的 ZnO 薄膜结构和发光特性的影响
PLD 生长的 ZnO 薄膜的微结构及其发光特性研究
碳化硅表面锌的吸附及其热氧化的光电子能谱研究
ZnO 中 H 导致的缺陷态的局域振动模式研究
Deep ultraviolet emission of ZnO films prepared by RF magnetron sputtering at changing substrate tem
ZnO /P-Si 接触及其温度特性
Effects of titania different phases on the microstructure and properties of K2Ti6O13 nanowires
Fabrication and electrical characterization of nanocrystalline ZnO/Si heterojunctions
Controlled-growth and characterization of 3C-SiC and 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates by
Effect of Lattice Mismatch on Luminescence of ZnO/Si Hetero-Structur
ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性
Influence of growth conditions on photovoltaic effect of ZnO/Si heterojunction
Heteroepitaxial growth and characterization of 3C-SiC films on on-axis Si (110) substrates by LPCVD
Influence of post-annealing conditions on properties of ZnO : Ag films
Effect of growth temperature on the characteristics of ZnO films grown on Si(111) substrates by meta
C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
Ultraviolet luminescence depending on Zn interstitial in ZnO polycrystalline films
Effect of Al doping on properties of SiC films
Study on the photovoltaic conversion of ZnO/Si heterojunction
Dependence of photovoltaic property of ZnO/Si heterojunction solar cell on thickness of ZnO films
Hydrogen diffusion behavior in N doped ZnO: First-principles study
6H-SiC 单晶表面 ZnO 薄膜的制备及其结构表征
Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition
ZnO/Si异质结的光电转换特性研究
PLD方法在CVD金刚石膜上生长ZnO薄膜及其特性研究
退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响
Effects of S incorporation on Ag substitutional acceptors in ZnO:(Ag, S) thin films
Effects of Grain Boundary Barrier in ZnO/Si Heterostructure
ZnO/ α- Al2O3 界面结构的 掠入射 X 射线衍射研究
SiC 缓冲层对 Si 表面生长的 ZnO 薄膜结构和光电性能的改善
Theoretical Study of H Diffusion Behavior and the Vibrational Properties of Li-H Complexes in ZnO
Effects of SiC buffer on the structural and photoelectrical properties of ZnO thin films grown on Si
Growth of 3C-SiC films on on-axis 6H-SiC substrates by LPCVD
ZnO : LiCI/p-Si薄膜中的施主一受主发光
Photoemission Studies of Mn/ZnO(000-1) interface
退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响
Influence of CH3COO- on the room temperature photoluminescence of ZnO films perpared by CVD
Plasma pretreatment on Si(111) substrates for the growth of ZnO thin films
Effects of sic buffer layer on the optical properties of ZnO films grown on Si (111) substrates
Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
Au/n-ZnO/p-SiC紫外探测器的研制和特性分析
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
Luminescene with local distribution and its possible mechanism in zinc oxide micro-crystallites
Studies of Mn/ZnO (000 ) Interfacial Formation and Electronic Properties with Synchrotron Radiation,
ZnO(000-1) 表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
Mn 掺杂对 ZnO 薄膜结构和光学性质的影响
ZnO/Si （ 111 ）界面结构的同步辐射掠入射 x 射线衍射研究
Photoemission studies of initial oxidation for ultra-thin zinc film on 6H-SiC(0001) surface with syn
Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究
SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善
退火温度及退火气氛对ZnO薄膜的结构及发光性能的影响（英文）
氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响
PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究
6H—SiC单晶表面ZnO薄膜的制备及其结构表征
Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响
衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究
ZnO／Si（111）界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究
ZnO／α—Al2O3界面结构的掠入射X射线衍射研究
碳化硅表面锌的吸附及其热氧化的同步辐射光电子能谱研究
MOCVD制备SiC：Al薄膜的导电类型调控研究
退火温度对Zno／Si异质结光电转换特性的影响
Grain boundary layer behavior in ZnO/Si heterostructure
ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性
CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌
射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性
Ag掺杂P型ZnO薄膜及其同质结的光电性质
Temperature coefficients of grain boundary resistance variations in a ZnO/p-Si heterojunction
ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光
ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响
C面蓝宝石衬底上6H—SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响
ZnO（0001^-）表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响
Electrical and deep levels characteristics of ZnO/ Si heterostructure by MOCVD deposition
期刊信息
  • 《材料导报：纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编：
  • 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编：401121
  • 邮箱：matreved@163.com
  • 电话：023-67398525
  • 国际标准刊号：ISSN：1005-023X
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1078/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:3397