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Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究
  • ISSN号：0253-2778
  • 期刊名称：《中国科学技术大学学报》
  • 时间：0
  • 分类：O484[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]中国科学技术大学物理系,安徽合肥230026
  • 相关基金：国家自然科学基金重点项目（50532070）;;中国科学院三期创新方向性课题（KJCX3.5YW.W01）资助
作者： 陈小庆[1], 孙利杰[1], 傅竹西[1]
关键词： Sb掺杂, 低温PL谱, ZNO, A0X, antimony-doped； low temperature photoluminescence； ZnO； A0X
中文摘要：

采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑（Sb）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱（PL）研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.

英文摘要：

Antimony-doped ZnO thin films was deposited on 6H-SiC substrates by RF magetron sputtering.X-ray diffraction showed that the films have high crystalline quality.X-ray photoelectron spectroscopy showed that Sb has been doped into ZnO films,and that the Sb concentration（atom percent） is about 1%.It was also verified that Sb occupies the Zn site but not the O site.Low temperature photoluminescence was carried out to investigate the optical properties of ZnO：Sb films and the A0X related to Sb dopant were observed.The corresponding acceptor energy level is about 150 meV by our calculations.Based on the analysis,SbZn-2VZn complex is the main source of acceptor of ZnO：Sb films.

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期刊信息
  • 《中国科学技术大学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学技术大学
  • 主编：何多慧
  • 地址：安徽省合肥市金寨路96号
  • 邮编：230026
  • 邮箱：JUST@USTC.EDU.CN
  • 电话：0551-63601961 63607694
  • 国际标准刊号：ISSN：0253-2778
  • 国内统一刊号：ISSN：34-1054/N
  • 邮发代号:26-31
  • 获奖情况:
  • 1999年，全国优秀高等学校自然科学学报及教育部优...,2001年，安徽省1999-2001年度优秀科技期刊一等奖,2002年，第三届华东地区优秀期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:8237